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Si4936CDY
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
100
0.10
0.0 8
10
T J = 150 °C
T J = 25 °C
0.06
T J = 125 °C
0.04
1
T J = 25 °C
0.02
0.1
0.00
0.0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
0
2
4
6
8
10
2.3
2.1
1.9
V SD - So u rce-to-Drain V oltage ( V )
Source-Drain Diode Forward Voltage
I D = 250 μA
20
16
12
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
1.7
8
1.5
1.3
1.1
4
0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
T J - Temperat u re (°C)
Threshold Voltage
100
10
1
Limited by R DS(on) *
100 μA
1 ms
10 ms
Time (s)
Single Pulse Power
0.1
T A = 25 °C
Single P u lse
100 ms
1s
10 s, DC
BVDSS Limited
0.01
0.1
1
10
100
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
* V GS > minim u m V GS at w hich R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
www.vishay.com
4
Document Number: 69097
S09-0390-Rev. C, 09-Mar-09
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